Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

IPB80P04P407ATMA2

Name: Infineon IPB80P04P407ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPB80P04P407ATM2
Price: 12.35 PLN
Availability: InStock

Nr Mouser:

726-IPB80P04P407ATM2

Nr prod.:

IPB80P04P407ATMA2

Produc.:

Infineon Technologies

Cykl życia:

Wycofane z eksploatacji:

Produkt został uznany przez producenta za przestarzały i zostanie wycofany z oferty.

Karta charakterystyki:

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Stany magazynowe:: 666 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.

Ilości większe niż 666 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	12,35 zł	12,35 zł
	7,90 zł	79,00 zł
	7,35 zł	735,00 zł
	7,27 zł	3 635,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1000)
	4,70 zł	4 700,00 zł
	4,54 zł	9 080,00 zł

Produc.:

Infineon Technologies

Nr prod.:

IPB80P04P405ATMA2

Opis:

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

Porównaj z aktualną częścią

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Infineon
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	TO-263-3-2
Polaryzacja tranzystora:	P-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	40 V
Id – Ciągły prąd drenu:	80 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	5.7 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	3 V
Qg – ładunek bramki:	68 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	88 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	Infineon Technologies
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	AT
Czas zanikania:	41 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	15 ns
Wielkość opakowania producenta:	1000
Podkategoria:	Transistors
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	34 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	25 ns
Nazwy umowne nr części:	IPB80P04P4-07 SP002325750
Jednostka masy:	324 mg