Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

IPB60R060C7ATMA1

Name: Infineon IPB60R060C7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPB60R060C7ATMA1
Price: 27.59 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

726-IPB60R060C7ATMA1

Nr prod.:

IPB60R060C7ATMA1

Produc.:

Infineon Technologies

Opis:

MOSFETs HIGH POWER_NEW

Karta charakterystyki:

IPB60R060C7ATMA1 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Infineon Technologies IPB60R060C7ATMA1

Na stanie magazynowym: 1 042

Stany magazynowe:: 1 042 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 8 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1000)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	27,59 zł	27,59 zł
	20,62 zł	206,20 zł
	15,12 zł	1 512,00 zł
	14,83 zł	7 415,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1000)
	13,82 zł	13 820,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Infineon
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	600 V
Id – Ciągły prąd drenu:	35 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	60 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	1.7 V
Qg – ładunek bramki:	68 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	162 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	CoolMOS
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	Infineon Technologies
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	MY
Kraj wytworzenia:	DE
Kraj pochodzenia:	DE
Czas zanikania:	4 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	11 ns
Seria:	CoolMOS C7
Wielkość opakowania producenta:	1000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	28 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	10 ns
Nazwy umowne nr części:	IPB60R060C7 SP001385008
Jednostka masy:	4 g

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

IPB60R060C7ATMA1 Karta charakterystyki (PDF)

Application Notes

Product Catalogs

SPICE Models

Simulation Model CoolMOS™ Power MOSFET PSpice 600V C7 (Kompresowanie Zip)

Technical Resources

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

CoolMOS™ 7 Superjunction MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ 7 Superjunction MOSFETs are optimized for energy efficiency, power density, and ease of use. CoolMOS 7 technology is optimized for specific applications with innovative package concepts and various technologies. CoolMOS 7 MOSFETS are ideal for applications like making electric vehicle charging stations smaller with higher outputs resulting in faster car charging. Thanks to CoolMOS 7, adapters and chargers can be made smaller, lighter, and more efficient. With CoolMOS 7, engineers can make renewable energy systems cheaper and more efficient.

CoolMOS™ C7 Power MOSFETs

Infineon's CoolMOS™ C7 Power MOSFETs are a revolutionary step forward in technology, providing low R_DS(on)/package and, thanks to its low switching losses, efficiency improvements over the full load range. The C7 is optimized for hard switching topologies such as Power Factor Correction (CCM PFC), Two Transistor Forward (TTF) and Solar Boost in applications such as Solar, Server, Telecom and UPS. The 650V breakdown voltage makes it suitable for Solar and Switched Mode Power Supplies (SMPS) PFC stages where extra safety margin are required. They offer the world's lowest R_DS(on) of 19mΩ in a TO-247 and 45mΩ in TO-220 and D²PAK packages. The fast switching performance of C7 now enables customers to operate at switching frequencies greater than 100kHz while achieving titanium levels of efficiency in Server PFC stages.