Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

IPB120P04P404ATMA2

Name: Infineon IPB120P04P404ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPB120P04P404ATM
Price: 13.99 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

726-IPB120P04P404ATM

Nr prod.:

IPB120P04P404ATMA2

Produc.:

Infineon Technologies

Opis:

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

Karta charakterystyki:

IPB120P04P404ATMA2 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Infineon Technologies IPB120P04P404ATMA2

Na stanie magazynowym: 4 947

Stany magazynowe:: 4 947 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 9 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	13,99 zł	13,99 zł
	9,11 zł	91,10 zł
	6,51 zł	651,00 zł
	5,33 zł	2 665,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1000)
	5,00 zł	5 000,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Infineon
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	TO-263-3
Polaryzacja tranzystora:	P-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	40 V
Id – Ciągły prąd drenu:	120 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	2.9 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 16 V, 5 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	3 V
Qg – ładunek bramki:	158 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	136 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	Infineon Technologies
Kraj montażu:	MY
Kraj wytworzenia:	AT
Kraj pochodzenia:	AT
Czas zanikania:	52 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	20 ns
Wielkość opakowania producenta:	1000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 P-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	49 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	30 ns
Nazwy umowne nr części:	IPB120P04P4-04 SP002325758 IPB120P04P404ATMA1 SP000842270
Jednostka masy:	324 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

IPB120P04P404ATMA2 Karta charakterystyki (PDF)

Product Catalogs

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs

Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs are class-leading power MOSFETs for the highest power density and energy-efficient solutions. Ultra-low gate and output charges, together with the lowest on-state resistance in small footprint packages, make ideal choices for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom, and telecom applications. Superfast switching Control FETs, together with low EMI Sync FETs, provide solutions that are easy to design. Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs provide excellent gate charge and are optimized for DC-DC conversion.

OptiMOS®-P2 Automotive MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS®-P2 Automotive MOSFETs offers a comprehensive portfolio of P-channel automotive power MOSFETs with the technology of OptiMOS-P2 and Gen5. The Automotive MOSFETs are AEC qualified and supports a 175°C operating temperature. The Infineon OptiMOS-P2 Automotive MOSFETs are available in DPAK, D2PAK, TO220, TO262, and SO8 packages.