Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

FS520R12A8P1LBHPSA1

Name: Infineon FS520R12A8P1LBHPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FS520R12A8P1LBHP
Price: 1841.26 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

726-FS520R12A8P1LBHP

Nr prod.:

FS520R12A8P1LBHPSA1

Produc.:

Infineon Technologies

Opis:

IGBT Modules HYBRID PACK DRIVE G2 SI

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

FS520R12A8P1LBHPSA1 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Infineon Technologies FS520R12A8P1LBHPSA1

Na stanie magazynowym: 1

Stany magazynowe:: 1

Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Dostępna ilość z otwartych zamówień:: 12

Oczekiwane: 13.02.2026
Średni czas produkcji:: 26

tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	1 841,26 zł	1 841,26 zł
	1 712,39 zł	20 548,68 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Infineon
Kategoria produktów:	Moduły IGBT
RoHS:
Produkt:	IGBT Modules
Konfiguracja:	Hex
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO:	1.2 kV
Napięcie nasycenia kolektor-emiter :	1.48 V
Ciągły prąd kolektora przy 25°C:	520 A
Prąd upływowy bramka–emiter:	400 nA
Pd – strata mocy:	1 kW
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Opakowanie:	Tray
Marka:	Infineon Technologies
Maksymalne napięcie bramka–emiter :	20 V
Styl mocowania:	Press Fit
Rodzaj produktu:	IGBT Modules
Seria:	Drive G2
Wielkość opakowania producenta:	6
Podkategoria:	Discrete and Power Modules
Technologia:	Si
Nazwa handlowa:	HybridPACK
Nazwy umowne nr części:	FS520R12A8P1LB SP005850366

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

FS520R12A8P1LBHPSA1 Karta charakterystyki (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

HybridPACK™ Drive G2 Modules

Infineon Technologies HybridPACK™ Drive G2 Modules are compact power modules designed for hybrid and electric vehicle traction. The Infineon Technologies G2 modules offer scalable performance levels using Si or SiC technologies and different chipsets, maintaining the same module size. Introduced in 2017 with silicon EDT2 technology, it was optimized for efficiency in real-world driving. In 2021, a CoolSiC™ version was introduced, offering higher cell density and better performance. In 2023, the second generation, HybridPACK Drive G2, was launched with EDT3 (Si IGBT) and CoolSiC™ G2 MOSFET technologies, providing ease of use and integration options for sensors, enabling up to 300kW performance within 750V and 1200V classes.