Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

FS3L50R07W2H3FB11BPSA1

Name: Infineon FS3L50R07W2H3FB11BPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FS3L50R07W2H3FB1
Price: 226.78 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

726-FS3L50R07W2H3FB1

Nr prod.:

FS3L50R07W2H3FB11BPSA1

Produc.:

Infineon Technologies

Opis:

IGBT Modules 650 V, 50 A 3-level IGBT module

Karta charakterystyki:

FS3L50R07W2H3FB11BPSA1 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Infineon Technologies FS3L50R07W2H3FB11BPSA1

Na stanie magazynowym: 14

Stany magazynowe:: 14 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 10 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	226,78 zł	226,78 zł
	187,05 zł	1 870,50 zł
	153,60 zł	16 128,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Infineon
Kategoria produktów:	Moduły IGBT
RoHS:
Produkt:	SiC IGBT Modules
Konfiguracja:	3-Phase Inverter
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO:	650 V
Napięcie nasycenia kolektor-emiter :	1.45 V
Ciągły prąd kolektora przy 25°C:	50 A
Prąd upływowy bramka–emiter:	100 nA
Pd – strata mocy:	20 mW
Opakowanie/obudowa:	Module
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Opakowanie:	Tray
Marka:	Infineon Technologies
Maksymalne napięcie bramka–emiter :	20 V
Styl mocowania:	Press Fit
Rodzaj produktu:	IGBT Modules
Seria:	High Speed IGBT H3
Wielkość opakowania producenta:	15
Podkategoria:	IGBTs
Technologia:	SiC
Nazwa handlowa:	EasyPACK
Nazwy umowne nr części:	FS3L50R07W2H3F_B11 SP001602696

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

FS3L50R07W2H3FB11BPSA1 Karta charakterystyki (PDF)

Application Notes

Other

Packaging:FS3L50R07W2H3F_B11 | EasyPACK module | AG-EASY2B-2-1 (PDF)

Product Catalogs

Technical Resources

Test/Quality Data

MCDS - Easy2-B (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
ECCN:: EAR99

Fast DC EV Charging Solutions

Infineon Technologies Fast DC Electric Vehicle (EV) Charging Solutions address the needs for e-mobility. With the ever-growing number of electric vehicles on the market and pressure from governments to reduce vehicle emissions to zero by 2050, there is a great need for more efficient charging solutions. As various consumer studies show, the acceptance of electromobility depends largely on the availability and duration of the charging process. High-power DC charging stations are the answer to these market requirements. Today, a typical electric vehicle can charge about 80% of its battery capacity in less than 10 minutes. This is comparable to refueling a conventional car with an internal combustion engine. Infineon helps bring energy-efficient DC fast-charging designs to life. Benefit from a comprehensive, ready-to-implement one-stop product and design portfolio that covers the entire product range from power conversion, microcontrollers, security, auxiliary power supply, and communication.

EasyPACK™ 2B IGBT Power Modules

Infineon Technologies EasyPACK™ 2B IGBT Power Modules are a scalable power module solution with a flexible pin grid system perfect for customizing layout and pinout. The packages do not have a base plate, enabling use in various applications. In PIM or Six-Pack configurations, the Infineon EasyPACK 2B IGBT power modules cover the full power range from 20A to 200A at 600V/650V/1200V. These modules also have a power dissipation range from 20mW to 600W and operate from -40°C up to +150°C or +175°C.

Fx3L50R07W2H3FB11 EasyPACK™ IGBT Modules

Infineon Technologies Fx3L50R07W2H3FB11 EasyPACK™ Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) Modules are 650V, 50A/100A, and 3-level modules with CoolSiC™ Schottky diode and PressFIT contact technology. These modules offer high current density with low switching losses and are optimized for customized development cycle time and cost. The Fx3L50R07W2H3FB11 modules feature an Al₂O₃ substrate with low thermal resistance, compact design, and rugged mounting with integrated mounting clamps. Typical applications include motor drives, solar applications, 3-level applications, and UPS systems.