Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

DF200R12KE3

Name: Infineon DF200R12KE3
Brand: Infineon Technologies
SKU: 641-DF200R12KE3
Price: 397.32 PLN
Availability: InStock

Nr Mouser:

641-DF200R12KE3

Nr prod.:

DF200R12KE3

Produc.:

Infineon Technologies

Karta charakterystyki:

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Stany magazynowe:: 52 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 12 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	397,32 zł	397,32 zł
	346,37 zł	3 463,70 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Infineon
Kategoria produktów:	Moduły IGBT
RoHS:
Produkt:	IGBT Silicon Modules
Konfiguracja:	Single
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO:	1.2 kV
Napięcie nasycenia kolektor-emiter :	1.7 V
Ciągły prąd kolektora przy 25°C:	200 A
Prąd upływowy bramka–emiter:	400 nA
Pd – strata mocy:	1.04 kW
Opakowanie/obudowa:	IS5a ( 62 mm )-5
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 125 C
Opakowanie:	Tray
Marka:	Infineon Technologies
Maksymalne napięcie bramka–emiter :	20 V
Styl mocowania:	Screw Mount
Rodzaj produktu:	IGBT Modules
Seria:	IGBT3 - E3
Wielkość opakowania producenta:	10
Podkategoria:	IGBTs
Technologia:	Si
Nazwy umowne nr części:	SP000100741 DF200R12KE3HOSA1
Jednostka masy:	340 g