Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

BSZ215CHXTMA1

Name: Infineon BSZ215CHXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BSZ215CHXTMA1
Price: 7.01 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

726-BSZ215CHXTMA1

Nr prod.:

BSZ215CHXTMA1

Produc.:

Infineon Technologies

Opis:

MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH

Karta charakterystyki:

BSZ215CHXTMA1 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 10 259

Stany magazynowe:: 10 259 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 20 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 5000)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	7,01 zł	7,01 zł
	4,47 zł	44,70 zł
	3,01 zł	301,00 zł
	2,38 zł	1 190,00 zł
	2,21 zł	2 210,00 zł
	2,14 zł	5 350,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 5000)
	1,87 zł	9 350,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Infineon
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	TSDSON-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel, P-Channel
Liczba kanałów:	2 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	20 V
Id – Ciągły prąd drenu:	5.1 A, 3.2 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	41 mOhms, 95 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 12 V, 12 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	1.1 V, 1 V
Qg – ładunek bramki:	700 pC, 590 pC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	2.5 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	Infineon Technologies
Konfiguracja:	Dual
Czas zanikania:	4.7 ns, 1.4 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	4 S, 5.5 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	2 ns, 3.7 ns
Wielkość opakowania producenta:	5000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 P-Channel, 1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	11.3 ns, 12.2 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	7.4 ns, 4.9 ns
Nazwy umowne nr części:	BSZ215C H SP001277210
Jednostka masy:	38,760 mg