BFR 380L3 E6327

Infineon Technologies
726-BFR380L3E6327
BFR 380L3 E6327

Produc.:

Opis:
RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTOR

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 13 229

Stany magazynowe:
13 229 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
8 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 15000)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™
2,48 zł 2,48 zł
1,54 zł 15,40 zł
1,04 zł 104,00 zł
0,748 zł 374,00 zł
0,636 zł 636,00 zł
0,572 zł 1 430,00 zł
0,507 zł 2 535,00 zł
0,464 zł 4 640,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 15000)
0,421 zł 6 315,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne.

Alternatywne pakowanie

Produc. Nr części:
Opakowanie:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Dostępność:
Na stanie magazynowym
Cena:
1,15 zł
Min.:
1

Podobny produkt

Infineon Technologies BFR380L3E6327XTMA1
Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTOR

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Infineon
Kategoria produktów: Tranzystory bipolarne RF
RoHS:  
BFR380L3
Bipolar
Si
NPN
14 GHz
90
6 V
2 V
80 mA
- 65 C
+ 150 C
Single
SMD/SMT
TSLP
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: Infineon Technologies
Maksymalny prąd DC kolektora: 80 mA
Pd – strata mocy: 380 mW
Rodzaj produktu: RF Bipolar Transistors
Wielkość opakowania producenta: 15000
Podkategoria: Transistors
Nazwy umowne nr części: SP000013562 BFR38L3E6327XT BFR380L3E6327XTMA1
Jednostka masy: 0,540 mg
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541219000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

RF Transistors

Infineon RF Transistors include Low Noise Amplifiers and High Linearity Transistors. Devices in the Low Noise category are based on silicon bipolar technology. Moderate transition frequency of fT <20 GHz provides ease of use and stability. Breakdown voltage can safely support supply voltage of 5V. These transistors are suitable for use with AM over VHF/UHF up to 14GHz. High Linearity Transistors provide OIP3 (Output 3rd Order Intercept Point) above 29dBm. They are based on Infineon's high volume silicon bipolar and SiGe:C technologies for best in class noise figures. These devices are ideal for drivers, pre-amplifiers, and buffer amplifiers.

RF Solutions for IoT applications

Infineon Technologies RF Solutions portfolio delivers high-performance RF technology products for reliable wireless connectivity in IoT applications. The number of IoT devices is growing at an astonishing rate. At the same time, customers expect a superior user experience in terms of product design and functionality.