IXTP80N10T

IXYS
747-IXTP80N10T
IXTP80N10T

Produc.:

Opis:
MOSFETs 80 Amps 100V 13.0 Rds

Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 103

Stany magazynowe:
103 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
23 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
20,71 zł 20,71 zł
10,46 zł 104,60 zł
8,61 zł 861,00 zł
7,77 zł 3 885,00 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
IXYS
Kategoria produktów: Układy MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
100 V
80 A
14 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
60 nC
- 55 C
+ 175 C
230 W
Enhancement
HiPerFET
Tube
Marka: IXYS
Konfiguracja: Single
Kraj montażu: Not Available
Kraj wytworzenia: Not Available
Kraj pochodzenia: KR
Czas zanikania: 48 ns
Rodzaj produktu: MOSFETs
Czas narastania: 54 ns
Seria: IXTP80N10
Wielkość opakowania producenta: 50
Podkategoria: Transistors
Rodzaj tranzystora: 1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 40 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 31 ns
Jednostka masy: 2 g
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99