Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

IXTP150N15X4

Name: IXYS IXTP150N15X4
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTP150N15X4
Price: 36.37 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

747-IXTP150N15X4

Nr prod.:

IXTP150N15X4

Produc.:

IXYS

Opis:

MOSFETs TO220 150V 150A N-CH HIPER

Cykl życia:

Wycofane z eksploatacji:

Produkt został uznany przez producenta za przestarzały i zostanie wycofany z oferty.

Karta charakterystyki:

IXTP150N15X4 Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 159

Stany magazynowe:: 159 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 46 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Ilości większe niż 159 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	36,37 zł	36,37 zł
	26,67 zł	266,70 zł
	21,55 zł	2 155,00 zł
	21,00 zł	21 000,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	IXYS
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-220-3
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	150 V
Id – Ciągły prąd drenu:	150 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	7.2 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2.5 V
Qg – ładunek bramki:	105 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	480 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	HiPerFET
Opakowanie:	Tube
Marka:	IXYS
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	KR
Czas zanikania:	6 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	70 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	5 ns
Seria:	X4-Class
Wielkość opakowania producenta:	50
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	60 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	23 ns
Jednostka masy:	2 g

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

IXTP150N15X4 Karta charakterystyki

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Rozwiązania do ładowania pojazdów elektrycznych

Rozwiązania do ładowania pojazdów elektrycznych (EV) firmy Littelfuse Electric Vehicle umożliwiają projektantom wybór idealnego rozwiązania zapewniającego funkcjonalność i bezpieczeństwo ich ładowarek EV. Zewnętrzne stacje ładowania EV pracują w trudnych warunkach, w których występują ekstremalnie wysokie i niskie temperatury, opady deszczu, śniegu i wyładowania atmosferyczne. Produkty Littelfuse chronią przed tymi zagrożeniami, minimalizując ryzyko wystąpienia usterek.

Ultra Junction MOSFETs

IXYS Ultra Junction MOSFETs feature low R_DS(on) and low Q_g in low inductance industry standard packages. These devices enable high power density, easy mounting, and space-saving opportunities. IXYS Ultra Junction MOSFETs are ideal solutions in SMPS, DC-DC converters, PFC circuits, AC and DC motor drives, and robotics/servo controls.