IXTP08N100P

IXYS
747-IXTP08N100P
IXTP08N100P

Produc.:

Opis:
MOSFETs 0.8 Amps 1000V 20 Rds

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 261

Stany magazynowe:
261 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
32 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
15,04 zł 15,04 zł
9,79 zł 97,90 zł
7,64 zł 764,00 zł
6,38 zł 3 190,00 zł
5,59 zł 5 590,00 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
IXYS
Kategoria produktów: Układy MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
1 kV
800 mA
20 Ohms
- 20 V, 20 V
4 V
11.3 nC
- 55 C
+ 150 C
42 W
Enhancement
Tube
Marka: IXYS
Konfiguracja: Single
Kraj montażu: Not Available
Kraj wytworzenia: Not Available
Kraj pochodzenia: KR
Czas zanikania: 34 ns
Rodzaj produktu: MOSFETs
Czas narastania: 37 ns
Seria: IXTP08N100
Wielkość opakowania producenta: 50
Podkategoria: Transistors
Rodzaj tranzystora: 1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 35 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 19 ns
Jednostka masy: 2 g
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99