+48 71 749 74 00

Część TTI Rodzina specjalistów Skontaktuj się z firmą Mouser +48 71 749 74 00 Opinie

Potwierdź wybór waluty:

PLN
Międzynarodowe Reguły Handlu:DDP
W wybranych metodach wysyłki wszystkie ceny zawierają cło i opłaty celne.
Darmowa wysyłka dla większości zamówień powyżej 300 zł (PLN).
Wszystkie dostępne opcje płatności

Euro
Międzynarodowe Reguły Handlu:DDP
W wybranych metodach wysyłki wszystkie ceny zawierają cło i opłaty celne.
Darmowa wysyłka dla większości zamówień powyżej 75 € (EUR).
Wszystkie dostępne opcje płatności

USD
Międzynarodowe Reguły Handlu:DDP
W wybranych metodach wysyłki wszystkie ceny zawierają cło i opłaty celne.
Darmowa wysyłka dla większości zamówień powyżej $90 (USD).
Wszystkie dostępne opcje płatności

Na stanie magazynowym

RoHS

Zaloguj się
Nowy klient? Rozpocznij tutaj
Zaloguj się
Nowy klient? Rozpocznij tutaj

Historia zamówień

Produc.	Nr prod.:	Liczba szt.	Ogółem zewn.

Przeglądaj koszyk

Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

IXTN660N04T4

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

747-IXTN660N04T4

Nr prod.:

IXTN660N04T4

Produc.:

IXYS

Opis:

MOSFET Modules 40V/660A TrenchT4 Power MOSFET

Cykl życia:

Przestarzały/nieaktualny

Karta charakterystyki:

IXTN660N04T4 Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Alert dotyczący wysyłki:

Firma Mouser aktualnie nie sprzedaje tego produktu w Twoim regionie.

Dostępność

Stany magazynowe:: Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	IXYS
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET
Ograniczenia dotyczące wysyłki	Firma Mouser aktualnie nie sprzedaje tego produktu w Twoim regionie.
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	Screw Mount
Opakowanie/obudowa:	SOT-227-4
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	40 V
Id – Ciągły prąd drenu:	660 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	850 uOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 15 V, + 15 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2 V
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	1.04 mW
Seria:	Gen4
Opakowanie:	Tube
Marka:	IXYS
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	KR
Czas zanikania:	260 ns
Rodzaj produktu:	MOSFET Modules
Czas narastania:	430 ns
Wielkość opakowania producenta:	10
Podkategoria:	Discrete and Power Modules
Nazwa handlowa:	HiPerFET
Rodzaj:	Trench
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	386 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	40 ns
Vr – napięcie wsteczne:	30 V
Jednostka masy:	30 g