Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

IXTA3N150HV

Name: IXYS IXTA3N150HV
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTA3N150HV
Price: 56.91 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

747-IXTA3N150HV

Nr prod.:

IXTA3N150HV

Produc.:

IXYS

Karta charakterystyki:

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Stany magazynowe:: 0

Nadal możesz kupić ten produkt i dodać do zaległego zamówienia.

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Dostępna ilość z otwartych zamówień:: 224

Oczekiwane: 17.08.2026
Średni czas produkcji:: 32

tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Produc. Nr części:

Opakowanie:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Dostępność:

Na stanie magazynowym

Cena:

56,91 zł

Min.:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	IXYS
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	1.5 kV
Id – Ciągły prąd drenu:	3 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	7.3 Ohms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 30 V, 30 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2.5 V
Qg – ładunek bramki:	38.6 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	250 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Tube
Marka:	IXYS
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	KR
Czas zanikania:	25 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	2.2 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	21 ns
Seria:	High Voltage
Wielkość opakowania producenta:	50
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	42 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	19 ns
Jednostka masy:	4 g