Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

IXFX38N80Q2

Name: IXYS IXFX38N80Q2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFX38N80Q2
Price: 100.17 PLN
Availability: Discontinued

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

747-IXFX38N80Q2

Nr prod.:

IXFX38N80Q2

Produc.:

IXYS

Cykl życia:

NRND:

Niezalecane dla nowych projektów.

Karta charakterystyki:

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Stany magazynowe:: Niedostępne na stanie

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 27 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 30 Wielokrotności: 30

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	100,17 zł	3 005,10 zł
	76,57 zł	9 188,40 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	IXYS
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-247-3
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	800 V
Id – Ciągły prąd drenu:	38 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	220 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 30 V, 30 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	5.5 V
Qg – ładunek bramki:	190 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	735 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	HiPerFET
Opakowanie:	Tube
Marka:	IXYS
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	KR
Czas zanikania:	12 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	16 ns
Seria:	IXFX38N80
Wielkość opakowania producenta:	30
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	60 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	20 ns
Jednostka masy:	6 g