Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

IXFT24N90P-TRL

Name: IXYS IXFT24N90P-TRL
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFT24N90P-TRL
Price: 53.26 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

747-IXFT24N90P-TRL

Nr prod.:

IXFT24N90P-TRL

Produc.:

IXYS

Karta charakterystyki:

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Stany magazynowe:: Niedostępne na stanie

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 37 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 400 Wielokrotności: 400

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 400)
	53,26 zł	21 304,00 zł

Produc. Nr części:

Opakowanie:

Tube

Dostępność:

Na stanie magazynowym

Cena:

82,45 zł

Min.:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	IXYS
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	TO-268-3
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	200 V
Id – Ciągły prąd drenu:	24 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	420 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 30 V, 30 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	3.5 V
Qg – ładunek bramki:	130 nC
Pd – strata mocy:	660 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	Polar
Opakowanie:	Reel
Marka:	IXYS
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	PH
Czas zanikania:	38 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	10 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	40 ns
Wielkość opakowania producenta:	400
Podkategoria:	Transistors
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	68 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	46 ns