Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

IXFP26N65X2

Name: IXYS IXFP26N65X2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFP26N65X2
Price: 22.19 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

747-IXFP26N65X2

Nr prod.:

IXFP26N65X2

Produc.:

IXYS

Opis:

MOSFETs TO220 650V 26A N-CH X2CLASS

Karta charakterystyki:

IXFP26N65X2 Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o IXYS IXFP26N65X2

Dostępność

Stany magazynowe:: Niedostępne na stanie

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 27 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 300 Wielokrotności: 50

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	22,19 zł	6 657,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	IXYS
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-220-3
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	650 V
Id – Ciągły prąd drenu:	26 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	130 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 30 V, 30 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	5 V
Qg – ładunek bramki:	45 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	460 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Tube
Marka:	IXYS
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	17 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	9.5 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	53 ns
Seria:	IXFP26N65X2
Wielkość opakowania producenta:	50
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	50 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	40 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

IXFP26N65X2 Karta charakterystyki

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

X2-Class HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS X2-Class HiPerFET™ Power MOSFETs are N-channel enhancement mode, avalanche-rated MOSFETs. The X2-Class MOSFETs offer high power density, space savings and are easy to mount. The MOSFETs are available in international standard packages, including TO-263, TO-220, and TO-247.