IXFP110N15T2

IXYS
747-IXFP110N15T2
IXFP110N15T2

Produc.:

Opis:
MOSFETs Trench T2 HiperFET Power MOSFET

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 295

Stany magazynowe:
295 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
23 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
26,75 zł 26,75 zł
17,93 zł 179,30 zł
12,81 zł 1 281,00 zł
12,01 zł 6 005,00 zł
11,97 zł 11 970,00 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
IXYS
Kategoria produktów: Układy MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
150 V
110 A
11 mOhms
- 20 V, 20 V
4.5 V
150 nC
- 55 C
+ 175 C
480 W
Enhancement
HiPerFET
Tube
Marka: IXYS
Konfiguracja: Single
Kraj montażu: Not Available
Kraj wytworzenia: Not Available
Kraj pochodzenia: KR
Czas zanikania: 18 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.: 75 S
Rodzaj produktu: MOSFETs
Czas narastania: 16 ns
Seria: IXFP110N15
Wielkość opakowania producenta: 50
Podkategoria: Transistors
Rodzaj tranzystora: 1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 33 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 33 ns
Jednostka masy: 2 g
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99