IXFN62N80Q3

IXYS
747-IXFN62N80Q3
IXFN62N80Q3

Produc.:

Opis:
MOSFET Modules Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/49A

Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.
Więcej informacji
Dowiedz się więcej o IXYS IXFN62N80Q3

Na stanie magazynowym: 212

Stany magazynowe:
212 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
27 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Ilości większe niż 212 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
193,97 zł 193,97 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
IXYS
Kategoria produktów: Moduły MOSFET
RoHS:  
Si
Screw Mount
SOT-227-4
N-Channel
1 Channel
800 V
49 A
140 mOhms
- 30 V, + 30 V
- 55 C
+ 150 C
960 W
IXFN62N80
Tube
Marka: IXYS
Konfiguracja: Single
Rodzaj produktu: MOSFET Modules
Czas narastania: 300 ns
Wielkość opakowania producenta: 10
Podkategoria: Discrete and Power Modules
Nazwa handlowa: HiPerFET
Rodzaj: HiperFET
Jednostka masy: 30 g
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Karta charakterystyki

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8541900000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541900299
ECCN:
EAR99

Q3-Class HiperFET™ Power MOSFETs

IXYS Q3-Class HiperFET™ Power MOSFETs provide the end-user with a broad range of devices with exceptional power-switching performance. They also offer excellent thermal characteristics, enhanced device ruggedness, and high energy efficiency. These MOSFETs come with drain-to-source voltage ratings of 200V to 1000V and drain current ratings of 10A to 100A. These features make the Q3-Class an optimized combination of low on-state resistance (Rdson) and gate charge (Qg), substantially reducing the device's conduction and switching loss. Power switching capabilities and device ruggedness are further enhanced by utilizing the HiperFET process. This process yields a device with a fast intrinsic rectifier, which provides for a low reverse recovery charge (Qrr) while enhancing the device's commutating dv/dt ratings (up to 50V/ns).

HiPerFET Power MOSFETs

IXYS has expanded the HiPerFET MOSTET family by introducing the Q3-Class products. The new Q3-Class provide up to a 25 percent reduction in on-state resistance, 27 percent reduction in input capacitance, 28 percent reduction in gate chare, 41 percent increase in maximum power dissipation, and up to 50 percent reduction in thermal resistances. These high-current, Polar HT™/HV™ HiPerFET™ power MOSFETs from IXYS are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types. View all .

Wystąpił nieoczekiwany błąd.


Jakieś pytania? Proszę odwiedzić Centrum Pomocy.
W przypadku pytań dotyczących konkretnego zamówienia, proszę zalogować się na swoje konto.

Jeśli pojawią się dalsze problemy, proszę skontaktować się z nami pod numerem 800-346-6873 lub wysłać wiadomość e-mail na adres help@mouser.com.