Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

IXFN52N90P

Name: IXYS IXFN52N90P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN52N90P
Price: 170.02 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

747-IXFN52N90P

Nr prod.:

IXFN52N90P

Produc.:

IXYS

Karta charakterystyki:

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Stany magazynowe:: Niedostępne na stanie

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 27 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 300 Wielokrotności: 10

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	170,02 zł	51 006,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	IXYS
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	Screw Mount
Opakowanie/obudowa:	SOT-227-4
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	900 V
Id – Ciągły prąd drenu:	43 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	160 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 30 V, + 30 V
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	890 W
Seria:	IXFN52N90
Opakowanie:	Tube
Marka:	IXYS
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	KR
Czas zanikania:	42 ns
Rodzaj produktu:	MOSFET Modules
Czas narastania:	80 ns
Wielkość opakowania producenta:	10
Podkategoria:	Discrete and Power Modules
Nazwa handlowa:	HiPerFET
Rodzaj:	Polar Power MOSFET
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	95 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	63 ns
Jednostka masy:	38 g