Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

IXFN36N60

Name: IXYS IXFN36N60
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN36N60
Price: 81.61 PLN
Availability: Discontinued

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

747-IXFN36N60

Nr prod.:

IXFN36N60

Produc.:

IXYS

Cykl życia:

NRND:

Niezalecane dla nowych projektów.

Karta charakterystyki:

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Stany magazynowe:: Niedostępne na stanie

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: Zleć wycenę przesyłki

Wpisz ilość:

Minimum: 300 Wielokrotności: 10

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	81,61 zł	24 483,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	IXYS
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	Screw Mount
Opakowanie/obudowa:	SOT-227-4
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	600 V
Id – Ciągły prąd drenu:	36 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	180 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, + 20 V
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	520 W
Seria:	HiPerFET
Opakowanie:	Tube
Marka:	IXYS
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	US
Czas zanikania:	60 ns
Wysokość:	9.6 mm
Długość:	38.23 mm
Rodzaj produktu:	MOSFET Modules
Czas narastania:	45 ns
Wielkość opakowania producenta:	10
Podkategoria:	Discrete and Power Modules
Nazwa handlowa:	HyperFET
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	100 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	30 ns
Szerokość:	25.42 mm
Jednostka masy:	30 g