+48 71 749 74 00

Część TTI Rodzina specjalistów Skontaktuj się z firmą Mouser +48 71 749 74 00 Opinie

Potwierdź wybór waluty:

PLN
Międzynarodowe Reguły Handlu:DDP
W wybranych metodach wysyłki wszystkie ceny zawierają cło i opłaty celne.
Darmowa wysyłka dla większości zamówień powyżej 300 zł (PLN).
Wszystkie dostępne opcje płatności

Euro
Międzynarodowe Reguły Handlu:DDP
W wybranych metodach wysyłki wszystkie ceny zawierają cło i opłaty celne.
Darmowa wysyłka dla większości zamówień powyżej 75 € (EUR).
Wszystkie dostępne opcje płatności

USD
Międzynarodowe Reguły Handlu:DDP
W wybranych metodach wysyłki wszystkie ceny zawierają cło i opłaty celne.
Darmowa wysyłka dla większości zamówień powyżej $90 (USD).
Wszystkie dostępne opcje płatności

Na stanie magazynowym

RoHS

Zaloguj się
Nowy klient? Rozpocznij tutaj
Zaloguj się
Nowy klient? Rozpocznij tutaj

Historia zamówień

Produc.	Nr prod.:	Liczba szt.	Ogółem zewn.

Przeglądaj koszyk

Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

IXFN21N100Q

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

747-IXFN21N100Q

Nr prod.:

IXFN21N100Q

Produc.:

IXYS

Opis:

MOSFET Modules 21 Amps 1000V 0.5 Rds

Karta charakterystyki:

IXFN21N100Q Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Dostępność

Stany magazynowe:: Niedostępne

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.

Cennik (PLN)

Wnioskuj o ofertę wyceny

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	IXYS
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	Screw Mount
Opakowanie/obudowa:	SOT-227-4
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	1 kV
Id – Ciągły prąd drenu:	21 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	500 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, + 20 V
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	520 W
Seria:	IXFN21N100
Opakowanie:	Tube
Marka:	IXYS
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	PH
Czas zanikania:	12 ns
Wysokość:	9.6 mm
Długość:	38.2 mm
Rodzaj produktu:	MOSFET Modules
Czas narastania:	18 ns
Wielkość opakowania producenta:	10
Podkategoria:	Discrete and Power Modules
Nazwa handlowa:	HiPerFET
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	60 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	21 ns
Szerokość:	25.07 mm
Jednostka masy:	30 g