IXFN150N10

Name: IXYS IXFN150N10
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN150N10
Price: 133.39 PLN
Availability: Discontinued

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

747-IXFN150N10

Nr prod.:

IXFN150N10

Produc.:

IXYS

Cykl życia:

NRND:

Niezalecane dla nowych projektów.

Karta charakterystyki:

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Stany magazynowe:: Niedostępne na stanie

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: Zleć wycenę przesyłki

Wpisz ilość:

Minimum: 300 Wielokrotności: 10

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	133,39 zł	40 017,00 zł
1 000	Oferta

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	IXYS
Kategoria produktów:	Moduły półprzewodnikowe dyskretne
RoHS:
Technologia:	Si
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, + 20 V
Styl mocowania:	Screw Mount
Opakowanie/obudowa:	SOT-227-4
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Seria:	HiPerFET
Opakowanie:	Tube
Marka:	IXYS
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	Not Available
Czas zanikania:	60 ns
Id – Ciągły prąd drenu:	150 A
Pd – strata mocy:	520 W
Rodzaj produktu:	Discrete Semiconductor Modules
Rds On – rezystancja dren–źródło:	12 mOhms
Czas narastania:	60 ns
Wielkość opakowania producenta:	10
Podkategoria:	Discrete Semiconductor Modules
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	100 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	30 ns
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	100 V
Jednostka masy:	30 g