Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

IXFN140N20P

Name: IXYS IXFN140N20P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN140N20P
Price: 127.22 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

747-IXFN140N20P

Nr prod.:

IXFN140N20P

Produc.:

IXYS

Karta charakterystyki:

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Stany magazynowe:: 0

Nadal możesz kupić ten produkt i dodać do zaległego zamówienia.

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Dostępna ilość z otwartych zamówień:: 545

Oczekiwane: 27.07.2026
Średni czas produkcji:: 26

tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	IXYS
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	Screw Mount
Opakowanie/obudowa:	SOT-227-4
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	200 V
Id – Ciągły prąd drenu:	115 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	18 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, + 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	5 V
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	680 W
Seria:	IXFN140N20
Opakowanie:	Tube
Marka:	IXYS
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	KR
Czas zanikania:	90 ns
Wysokość:	12.22 mm
Długość:	38.23 mm
Rodzaj produktu:	MOSFET Modules
Czas narastania:	35 ns
Wielkość opakowania producenta:	10
Podkategoria:	Discrete and Power Modules
Nazwa handlowa:	HiPerFET
Rodzaj:	PolarHT HiPerFET Power MOSFET
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	150 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	30 ns
Szerokość:	25.42 mm
Jednostka masy:	30 g