IXFB38N100Q2

IXYS
747-IXFB38N100Q2
IXFB38N100Q2

Produc.:

Opis:
MOSFETs 38 Amps 1000V 0.25 Rds

Cykl życia:
NRND:
Niezalecane dla nowych projektów.
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Dostępność

Stany magazynowe:
Niedostępne na stanie
Średni czas produkcji:
39 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce.
W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.
Minimum: 25   Wielokrotności: 25
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
124,40 zł 3 110,00 zł
111,01 zł 11 101,00 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
IXYS
Kategoria produktów: Układy MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
PLUS-264-3
N-Channel
1 Channel
1 kV
38 A
280 mOhms
- 30 V, 30 V
- 55 C
+ 150 C
890 W
Enhancement
HiPerFET
Tube
Marka: IXYS
Konfiguracja: Single
Kraj montażu: Not Available
Kraj wytworzenia: Not Available
Kraj pochodzenia: PH
Czas zanikania: 15 ns
Rodzaj produktu: MOSFETs
Czas narastania: 28 ns
Seria: IXFB38N100
Wielkość opakowania producenta: 25
Podkategoria: Transistors
Rodzaj tranzystora: 1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 57 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 25 ns
Jednostka masy: 1,600 g
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8541500000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85415001
ECCN:
EAR99