LF2388BTR

IXYS Integrated Circuits
747-LF2388BTR
LF2388BTR

Produc.:

Opis:
Gate Drivers 3-Phase Half-Bridge DRVR 270mA SOIC-20

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 1 566

Stany magazynowe:
1 566 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
12 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1500)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™
10,37 zł 10,37 zł
7,73 zł 77,30 zł
7,10 zł 177,50 zł
6,34 zł 634,00 zł
6,01 zł 1 502,50 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1500)
6,01 zł 9 015,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne.

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
IXYS
Kategoria produktów: Sterowniki bramki
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
3-Phase / Three Phase
SMD/SMT
SOIC-20
3 Driver
6 Output
10 V
20 V
45 ns
25 ns
- 40 C
+ 125 C
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: IXYS Integrated Circuits
Kraj montażu: Not Available
Kraj wytworzenia: Not Available
Kraj pochodzenia: CN
Rodzaj logiki: CMOS, TTL
Wrażliwość na wilgoć: Yes
Prąd roboczy zasilania: 500 uA
Pd – strata mocy: 1.47 W
Rodzaj produktu: Gate Drivers
Czas propagacji – max.: 50 ns
Wielkość opakowania producenta: 1500
Podkategoria: PMIC - Power Management ICs
Technologia: Si
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8542399000
USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99

Gate Drivers for N-Channel MOSFETs & IGBTs

IXYS Gate Drivers for N-Channel MOSFETs and IGBTs include high-voltage high-speed gate drivers and three-phase gate driver ICs. These devices are designed to drive two N-channel MOSFETs or IGBTs in a half-bridge configuration or high-side / low-side configuration. The high-voltage technology enables the high side to switch to 600V in a bootstrap operation. The drivers provide feature high pulse current buffers designed for minimum driver cross conduction. Other features include logic inputs with 3.3V capability, Schmitt triggered logic inputs, and undervoltage lockout (UVLO) protection. IXYS Gate Drivers for N-Channel MOSFETs and IGBTs operate over an extended temperature range of -40°C to +125°C.