GS81314LQ18GK-106

GSI Technology
464-GS81314LQ18GK106
GS81314LQ18GK-106

Produc.:

Opis:
SRAM 1.2/1.25V 8M x 18 144M

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Dostępność

Stany magazynowe:
Niedostępne na stanie
Średni czas produkcji:
Minimum: 10   Wielokrotności: 10
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
1 914,28 zł 19 142,80 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
GSI Technology
Kategoria produktów: SRAM
RoHS:  
144 Mbit
8 M x 18
1.066 GHz
Parallel
1.35 V
1.2 V
2.3 A
0 C
+ 85 C
SMD/SMT
BGA-260
Tray
Marka: GSI Technology
Kraj montażu: Not Available
Kraj wytworzenia: Not Available
Kraj pochodzenia: Not Available
Rodzaj pamięci: QDR-IVe
Wrażliwość na wilgoć: Yes
Rodzaj produktu: SRAM
Seria: GS81314LQ18GK
Wielkość opakowania producenta: 10
Podkategoria: Memory & Data Storage
Nazwa handlowa: SigmaQuad-IVe
Rodzaj: SigmaQuad-IVe B2
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8542324500
CNHTS:
8542319090
CAHTS:
8542320041
USHTS:
8542320041
JPHTS:
854232029
KRHTS:
8542321020
MXHTS:
8542320201
ECCN:
3A991.b.2.b

Quad SRAMs

GSI Technology Quad SRAMs combine capacity and performance with the ability to transfer four beats of data (two beats per data bus) in a single clock cycle. SigmaQuad SRAMs are synchronous memories with separate read and write data buses with unequaled transaction rates by competitors.

SigmaQuad-IVe ECCRAMs

GSI Technology SigmaQuad-IVe ECCRAMs are the Separate I/O half of the SigmaQuad-IVe/SigmaDDR-IVe family of high performance ECCRAMs. The devices are similar to GSI's third generation of networking SRAMs but offer several new features that help enable significantly higher performance. GSI's ECCRAMs implement an ECC algorithm that detects and corrects all single-bit memory errors, including those induced by SER events. These events include cosmic rays, alpha particles, etc. The resulting Soft Error Rate of these devices is anticipated to be <0.002 FITs/Mb. A 5-order-of-magnitude improvement over comparable SRAMs with no on-chip ECC, which typically have an SER of 200FITs/Mb or more.