Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

DIT090N06

Name: Diotec Semiconductor DIT090N06
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-DIT090N06
Price: 6.72 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

637-DIT090N06

Nr prod.:

DIT090N06

Produc.:

Diotec Semiconductor

Opis:

MOSFETs MOSFET, TO-220AB, 65V, 90A, 175C, N

Karta charakterystyki:

DIT090N06 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Diotec Semiconductor DIT090N06

Na stanie magazynowym: 967

Stany magazynowe:: 967 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 9 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	6,72 zł	6,72 zł
	3,21 zł	32,10 zł
	2,50 zł	250,00 zł
	2,27 zł	1 135,00 zł
	1,92 zł	1 920,00 zł
	1,89 zł	4 725,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Diotec Semiconductor
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-220-3
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	65 V
Id – Ciągły prąd drenu:	90 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	5.7 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2.9 V
Qg – ładunek bramki:	94 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	160 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	DIT090N06
Opakowanie:	Tube
Marka:	Diotec Semiconductor
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	CN
Czas zanikania:	13 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	50 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	11 ns
Seria:	DIT0/1
Wielkość opakowania producenta:	50
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	Power MOSFET
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	65 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	26 ns
Jednostka masy:	2,820 g

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

DIT090N06 Karta charakterystyki (PDF)

Models

Full Material Declaration (PDF)

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
ECCN:: EAR99

Advanced Trench Technology Power MOSFETs

Diotec Semiconductors Advanced Trench Technology Power MOSFETs feature low on-state resistance and fast switching time. These MOSFETs components are available in standard commercial/industrial grading. The power MOSFETs are offered as N, P, or dual N+P channel types in single, dual, and H bridge configurations. These MOSFETs offer a 100mA to 280A current range and a 20V to 250V voltage range.