Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

DI2A2N100D1K

Name: Diotec Semiconductor DI2A2N100D1K
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-DI2A2N100D1K
Price: 8.04 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

637-DI2A2N100D1K

Nr prod.:

DI2A2N100D1K

Produc.:

Diotec Semiconductor

Opis:

MOSFETs

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

DI2A2N100D1K Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Diotec Semiconductor DI2A2N100D1K

Na stanie magazynowym: 2 448

Stany magazynowe:: 2 448 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	8,04 zł	8,04 zł
	6,24 zł	62,40 zł
	3,74 zł	374,00 zł
	3,70 zł	1 850,00 zł
	3,61 zł	3 610,00 zł
	3,19 zł	7 975,00 zł
	3,00 zł	15 000,00 zł
	2,59 zł	25 900,00 zł
25 000	Oferta

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Diotec Semiconductor
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	TO-252AA-4
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	1 kV
Id – Ciągły prąd drenu:	2.2 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	6.8 Ohms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 25 V, 25 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4 V
Qg – ładunek bramki:	25 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	30 W
Tryb kanału:	Enhancement
Marka:	Diotec Semiconductor
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	44 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	14 ns
Wielkość opakowania producenta:	2500
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	92 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	36 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

DI2A2N100D1K Karta charakterystyki (PDF)

Product Catalogs

Battery Management Systems

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Advanced Trench Technology Power MOSFETs

Diotec Semiconductors Advanced Trench Technology Power MOSFETs feature low on-state resistance and fast switching time. These MOSFETs components are available in standard commercial/industrial grading. The power MOSFETs are offered as N, P, or dual N+P channel types in single, dual, and H bridge configurations. These MOSFETs offer a 100mA to 280A current range and a 20V to 250V voltage range.