Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

BC846PN

Name: Diotec Semiconductor BC846PN
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-BC846PN
Price: 0.99 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

637-BC846PN

Nr prod.:

BC846PN

Produc.:

Diotec Semiconductor

Opis:

Bipolar Transistors - BJT SOT-363, 65V, 100mA, NPN+PN

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

BC846PN Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Diotec Semiconductor BC846PN

Na stanie magazynowym: 3 000

Stany magazynowe:: 3 000 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 7 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	0,998 zł	1,00 zł
	0,705 zł	7,05 zł
	0,593 zł	59,30 zł
	0,473 zł	236,50 zł
	0,413 zł	413,00 zł
	0,314 zł	942,00 zł
	0,202 zł	1 818,00 zł
	0,198 zł	4 752,00 zł
	0,168 zł	7 560,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Diotec Semiconductor
Kategoria produktów:	Tranzystory bipolarne - BJT
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	SOT-363-6
Polaryzacja tranzystora:	NPN, PNP
Konfiguracja:	Dual
Maksymalny prąd DC kolektora:	100 mA
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO:	65 V
Napięcie kolektor-baza VCBO:	80 V
Napięcie emiter–baza VEBO:	6 V
Napięcie nasycenia kolektor-emiter :	300 mV
Pd – strata mocy:	250 mW
Wzmacniacze GBP fT:	100 MHz
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Marka:	Diotec Semiconductor
Ciągły prąd kolektora:	100 mA
Wzmocnienie kolektora/bazy DC hfe min.:	200
Wzmocnienie prądu DC hFE max.:	450
Rodzaj produktu:	BJTs - Bipolar Transistors
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

BC846PN Karta charakterystyki (PDF)

Models

BC846PN Symbol & Footprint by SnapMagic

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541210000
USHTS:: 8541290095

BC846PN General-Purpose NPN + PNP Transistor

Diotec Semiconductor BC846PN General-Purpose NPN + PNP Transistor features two complementary transistors in a single package. This general-purpose transistor operates at 65V collector-emitter voltage, 80V collector-base voltage, 250mW power dissipation, and 6V emitter base voltage. The BC846PN general-purpose NPN + PNP transistor is housed in a UL 94V-0 case material and available in a small SOT-363 Surface-Mount Device (SMD) package. This general-purpose transistor is ideal for signal processing, switching, amplification, and commercial and industrial-grade use.