Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

DMN63D8LV-7

Name: Diodes Incorporated DMN63D8LV-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMN63D8LV-7
Price: 0.92 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

621-DMN63D8LV-7

Nr prod.:

DMN63D8LV-7

Produc.:

Diodes Incorporated

Opis:

MOSFETs Dual N-Ch Enh Mode 30V 4.2Ohm 200mA

Karta charakterystyki:

DMN63D8LV-7 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 2 535

Stany magazynowe:: 2 535

Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Dostępna ilość z otwartych zamówień:: 3 000

Oczekiwane: 12.06.2026
Średni czas produkcji:: 24

tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	0,925 zł	0,93 zł
	0,576 zł	5,76 zł
	0,383 zł	38,30 zł
	0,305 zł	152,50 zł
	0,275 zł	275,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	0,185 zł	555,00 zł
	0,172 zł	1 032,00 zł
	0,155 zł	1 395,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Diodes Incorporated
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	SOT-563-6
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	2 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	30 V
Id – Ciągły prąd drenu:	260 mA
Rds On – rezystancja dren–źródło:	2.8 Ohms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	800 mV
Qg – ładunek bramki:	870 pC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	450 mW
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	Diodes Incorporated
Konfiguracja:	Dual
Czas zanikania:	6.3 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	80 mS
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	3.2 ns
Seria:	DMN63
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	2 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	12 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	3.3 ns
Jednostka masy:	6 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

DMN63D8LV-7 Karta charakterystyki (PDF)

Environmental Compliance (PDF)

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.