Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

DMHC3025LSD-13

Name: Diodes Incorporated DMHC3025LSD-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMHC3025LSD-13
Price: 5.38 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

621-DMHC3025LSD-13

Nr prod.:

DMHC3025LSD-13

Produc.:

Diodes Incorporated

Opis:

MOSFETs 30V Comp ENH Mode H-Bridge 20V VGSS

Karta charakterystyki:

DMHC3025LSD-13 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 37 869

Stany magazynowe:: 37 869 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 40 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	5,38 zł	5,38 zł
	3,39 zł	33,90 zł
	2,25 zł	225,00 zł
	1,76 zł	880,00 zł
	1,60 zł	1 600,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)
	1,33 zł	3 325,00 zł
	1,31 zł	32 750,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Diodes Incorporated
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	SOIC-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel, P-Channel
Liczba kanałów:	4 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	30 V
Id – Ciągły prąd drenu:	4.2 A, 6 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	25 mOhms, 50 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	1 V
Qg – ładunek bramki:	11.7 nC, 11.4 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	1.5 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	Diodes Incorporated
Konfiguracja:	Quad
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	CN
Czas zanikania:	8.7 ns, 13.5 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	15 ns, 4.9 ns
Seria:	DMHC3025
Wielkość opakowania producenta:	2500
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	2 N-Channel, 2 P-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	17.5 ns, 28.2 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	11.2 ns, 7.5 ns
Jednostka masy:	750 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.