CMX90A705A6-R701

CML Micro
226-CMX90A705A6-R701
CMX90A705A6-R701

Produc.:

Opis:
RF Amplifier 5.5W Ka-Band GaN Power Amplifier

Cykl życia:
Nowe produkty:
Nowości od tego producenta.
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 74

Stany magazynowe:
74 Wysylamy natychmiast
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
250,30 zł 250,30 zł
224,42 zł 5 610,50 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 100)
205,93 zł 20 593,00 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
CML Micro
Kategoria produktów: Wzmacniacz RF
RoHS:  
27.5 GHz to 31 GHz
27.5 V
17 dB
Power Amplifiers
SMD/SMT
AQFN-12
GaN
42 dBm
- 40 C
+ 85 C
Reel
Cut Tape
Marka: CML Micro
Kraj montażu: Not Available
Kraj wytworzenia: Not Available
Kraj pochodzenia: GB
Tłumienność odbicia wejścia: - 10 dB
Izolacja dB: - 43 dB
Wrażliwość na wilgoć: Yes
Pd – strata mocy: 18.8 W
Rodzaj produktu: RF Amplifier
Wielkość opakowania producenta: 100
Podkategoria: Wireless & RF Integrated Circuits
Nazwa handlowa: SuRF
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

TARIC:
8542330000
CAHTS:
8542330000
USHTS:
8542330001
MXHTS:
8542330299
ECCN:
EAR99

CMX90A705 5.5W Ka-Band GaN Power Amplifiers

CML Micro CMX90A705 5.5W Ka-Band GaN Power Amplifiers are compact two-stage amplifiers that deliver 37.4dBm (5.5W) of power with 16.5dB of gain. The CML Micro CMX90A705 amplifiers are suitable for driving and final stages in satellite communication terminals. The RF ports are matched to 50Ω, with integrated DC blocking capacitors at the input and output. The PCB includes decoupling capacitors for modulated signals like QPSK. The amplifier uses a 0.15µm gate length GaN-on-SiC process and is packaged in a small 4mm x 4mm air-cavity QFN for efficient thermal management.