AS4C16M16MSA-6BINTR

Alliance Memory
913-A4C16M16MSA6BINT
AS4C16M16MSA-6BINTR

Produc.:

Opis:
DRAM 256M 166MHz 16Mx16 Mobile LP SDRAM IT

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Dostępność

Stany magazynowe:
Niedostępne na stanie
Średni czas produkcji:
16 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce.
Minimum: 1000   Wielokrotności: 1000
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1000)
25,11 zł 25 110,00 zł
24,55 zł 49 100,00 zł

Alternatywne pakowanie

Produc. Nr części:
Opakowanie:
Tray
Dostępność:
Na stanie magazynowym
Cena:
39,78 zł
Min.:
1

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Alliance Memory
Kategoria produktów: Pamięć DRAM
RoHS:  
SDRAM Mobile
256 Mbit
16 bit
166 MHz
FBGA-54
16 M x 16
6 ns
1.7 V
1.95 V
- 40 C
+ 85 C
AS4C16M16MSA-6
Reel
Marka: Alliance Memory
Kraj montażu: Not Available
Kraj wytworzenia: Not Available
Kraj pochodzenia: TW
Wrażliwość na wilgoć: Yes
Styl mocowania: SMD/SMT
Rodzaj produktu: DRAM
Wielkość opakowania producenta: 1000
Podkategoria: Memory & Data Storage
Prąd zasilania – max.: 80 mA
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320024
MXHTS:
8542320201
ECCN:
EAR99

Mobile Low Power SDRAMs

Alliance Memory Mobile Low Power SDRAMs are high-performance CMOS Dynamic RAMs (DRAM) with a 64ms refresh period (4K cycle). These devices feature advanced circuit design to provide low active current and extremely low standby current. The low power features include Auto Temperature Compensated Self Refresh (TCSR), partial array self-refresh power-saving mode, deep power-down mode, and driver strength control.