Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

ALD310700ASCL

Name: Advanced Linear Devices ALD310700ASCL
Brand: Advanced Linear Devices
SKU: 585-ALD310700ASCL
Price: 27.86 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

585-ALD310700ASCL

Nr prod.:

ALD310700ASCL

Produc.:

Advanced Linear Devices

Opis:

MOSFETs Quad P-Channel EPAD Matched Pair

Karta charakterystyki:

ALD310700ASCL Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Advanced Linear Devices ALD310700ASCL

Dostępność

Stany magazynowe:: Niedostępne na stanie

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: Zleć wycenę przesyłki

Wpisz ilość:

Minimum: 50 Wielokrotności: 50

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	27,86 zł	1 393,00 zł
	27,82 zł	2 782,00 zł
	27,18 zł	27 180,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Advanced Linear Devices
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	SOIC-16
Polaryzacja tranzystora:	P-Channel
Liczba kanałów:	4 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	8 V
Id – Ciągły prąd drenu:	80 mA
Rds On – rezystancja dren–źródło:	1.1 kOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 8 V, 8 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	20 mV
Minimalna temperatura robocza:	0 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 70 C
Pd – strata mocy:	500 mW
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Tube
Marka:	Advanced Linear Devices
Konfiguracja:	Quad
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	US
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Seria:	ALD31070
Wielkość opakowania producenta:	50
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	4 P-Channel
Jednostka masy:	666 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

ALD310700ASCL Karta charakterystyki (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541210101
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

ALD31070x P-Channel EPAD® MOSFET Arrays

Advanced Linear Devices ALD31070x P-Channel EPAD^® MOSFET Arrays are high-precision monolithic quad p-channel MOSFET arrays. These MOSFET arrays belong to the EPAD^®matched pair MOSFET family. The ALD31070x MOSFET arrays are used for low-voltage and low-power small signal applications with low gate threshold voltages of 0V and -0.2V. These arrays are designed for exceptional matching of electrical device characteristics. Fabricated on the same monolithic chip, the ALD31070x arrays offer excellent temperature tracking characteristics. These MOSFET arrays feature a versatile design for various precision analog applications like current mirrors, matching circuits, and current sources.