ALD212908ASAL

Name: Advanced Linear Devices ALD212908ASAL
Brand: Advanced Linear Devices
SKU: 585-ALD212908ASAL
Price: 25.41 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

585-ALD212908ASAL

Nr prod.:

ALD212908ASAL

Produc.:

Advanced Linear Devices

Opis:

MOSFETs Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Karta charakterystyki:

ALD212908ASAL Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Dostępność

Stany magazynowe:: Niedostępne na stanie

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: Zleć wycenę przesyłki

Wpisz ilość:

Minimum: 50 Wielokrotności: 50

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	25,41 zł	1 270,50 zł
	25,37 zł	2 537,00 zł
	24,12 zł	24 120,00 zł
10 000	Oferta

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Advanced Linear Devices
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	SOIC-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	2 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	10.6 V
Id – Ciągły prąd drenu:	80 mA
Rds On – rezystancja dren–źródło:	14 Ohms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 12 V, 12 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	820 mV
Minimalna temperatura robocza:	0 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 70 C
Pd – strata mocy:	500 mW
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	EPAD
Opakowanie:	Tube
Marka:	Advanced Linear Devices
Konfiguracja:	Dual
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Seria:	ALD212908A
Wielkość opakowania producenta:	50
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	2 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	10 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	10 ns
Jednostka masy:	74 mg