ALD1101BPAL

Name: Advanced Linear Devices ALD1101BPAL
Brand: Advanced Linear Devices
SKU: 585-ALD1101BPAL
Price: 42.76 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

585-ALD1101BPAL

Nr prod.:

ALD1101BPAL

Produc.:

Advanced Linear Devices

Opis:

MOSFETs Dual N-Channel Pair

Karta charakterystyki:

ALD1101BPAL Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Dostępność

Stany magazynowe:: Niedostępne na stanie

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: Zleć wycenę przesyłki

Wpisz ilość:

Minimum: 50 Wielokrotności: 50

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	42,76 zł	2 138,00 zł
	35,62 zł	3 562,00 zł
	31,75 zł	15 875,00 zł
	29,69 zł	29 690,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Advanced Linear Devices
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	PDIP-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	2 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	12 V
Id – Ciągły prąd drenu:	40 mA
Rds On – rezystancja dren–źródło:	50 Ohms, 50 Ohms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 12 V, 12 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	400 mV
Minimalna temperatura robocza:	0 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 70 C
Pd – strata mocy:	500 mW
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Tube
Marka:	Advanced Linear Devices
Konfiguracja:	Dual
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	CN
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Seria:	ALD1101B
Wielkość opakowania producenta:	50
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	2 N-Channel
Jednostka masy:	1 g