IPW60R024CFD7XKSA1

Infineon Technologies
726-IPW60R024CFD7XKS
IPW60R024CFD7XKSA1

Produc.:

Opis:
MOSFETs HIGH POWER_NEW

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Infineon
Kategoria produktów: Układy MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
77 A
24 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
183 nC
- 55 C
+ 150 C
320 W
Enhancement
Tube
Marka: Infineon Technologies
Konfiguracja: Single
Rodzaj produktu: MOSFETs
Seria: IPW60R024CFD7
Wielkość opakowania producenta: 240
Podkategoria: Transistors
Nazwy umowne nr części: IPW60R024CFD7 SP002621050
Jednostka masy: 6 g
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

Kody zgodności
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Klasyfikacja pochodzenia
Kraj pochodzenia:
Niemcy
Kraj montażu:
Chiny
Kraj wytworzenia:
Austria
Kraj może ulec zmianie w momencie wysyłki.

CFD7 CoolMOS™ MOSFETs

Infineon Technologies CFD7 CoolMOS™ MOSFETs are ideal for resonant high power topologies and feature high voltage superjunction MOSFET technology. The MOSFETs have an integrated fast body diode and completes the CoolMOS 7 series. Typical high power switch-mode power supply (SMPS) applications include server, telecom, and EV charging stations.

CoolMOS™ Superjunction MOSFETs

Infineon CoolMOS™ Power Transistors provide all the benefits of a fast-switching SJ MOSFET. Combined with the generation CoolMOS 7, Infineon continues to set price, performance, and quality benchmarks.

Experience the Difference in Power

Infineon is the leader in the power semiconductor market. With more than 20 years of experience and as the innovator of the revolutionary CoolMOS™ super junction MOSFET technology, Infineon continues pioneering in the power management field. Customers can select based on individual design/system requirements from the industry's broadest silicon-based SJ MOSFET portfolio. As one of the few manufacturers mastering all three main power technologies, Infineon complements this assortment with a groundbreaking wide bandgap (WBG) offering. This offering comprises silicon-carbide-based CoolSiC™ MOSFETs, matching diodes, and gallium-nitride-based CoolGaN™ e-mode HEMTs. Solutions are available, ranging from exceptional price performance through unrivaled robustness to best-in-class devices. This enables customers to build more efficient, environmentally friendly, sustainable applications.

Na stanie magazynowym: 343

Stany magazynowe:
343 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
52 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
57,41 zł 57,41 zł
32,55 zł 325,50 zł
30,32 zł 3 032,00 zł
28,98 zł 13 910,40 zł