Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

IKW75N65ET7XKSA1

Name: Infineon IKW75N65ET7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IKW75N65ET7XKSA1
Price: 24.17 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

726-IKW75N65ET7XKSA1

Nr prod.:

IKW75N65ET7XKSA1

Produc.:

Infineon Technologies

Opis:

IGBTs 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package

Karta charakterystyki:

IKW75N65ET7XKSA1 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Infineon Technologies IKW75N65ET7XKSA1

Na stanie magazynowym: 2

Stany magazynowe:: 2

Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Dostępna ilość z otwartych zamówień:: 720

Oczekiwane: 21.05.2026
Średni czas produkcji:: 26

tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	24,17 zł	24,17 zł
	15,01 zł	150,10 zł
	12,56 zł	1 256,00 zł
	11,87 zł	5 697,60 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Infineon
Kategoria produktów:	Tranzystory IGBT
RoHS:
Technologia:	Si
Opakowanie/obudowa:	TO-247-3
Styl mocowania:	Through Hole
Konfiguracja:	Single
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO:	650 V
Napięcie nasycenia kolektor-emiter :	1.35 V
Maksymalne napięcie bramka–emiter :	- 20 V, 20 V
Ciągły prąd kolektora przy 25°C:	80 A
Pd – strata mocy:	333 W
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Seria:	IGBT7 T7
Opakowanie:	Tube
Marka:	Infineon Technologies
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	MY
Prąd upływowy bramka–emiter:	100 nA
Rodzaj produktu:	IGBT Transistors
Wielkość opakowania producenta:	240
Podkategoria:	IGBTs
Nazwa handlowa:	TRENCHSTOP
Nazwy umowne nr części:	IKW75N65ET7 SP005348294

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

IKW75N65ET7XKSA1 Karta charakterystyki (PDF)

Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

IGBT7 Discretes

Infineon Technologies IGBT7 Discretes are the 7th generation of TRENCHSTOP™ IGBTs, created with micro-pattern trench technology. The advanced technology delivers unparalleled control and performance, resulting in significant loss reduction, improved efficiency, and increased power density in applications.

Low Loss Duopack IGBTs

Infineon Technologies Low Loss Duopack IGBTs offer a robust humidity design with Trenchstop™ and Fieldstop™ technology. They feature a very soft, fast-recovery anti-parallel diode, short tail current, and very low V_CEsat.