Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

IKW50N65ET7XKSA1

Name: Infineon IKW50N65ET7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IKW50N65ET7XKSA1
Price: 16.51 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

726-IKW50N65ET7XKSA1

Nr prod.:

IKW50N65ET7XKSA1

Produc.:

Infineon Technologies

Opis:

IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package

Karta charakterystyki:

IKW50N65ET7XKSA1 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Infineon Technologies IKW50N65ET7XKSA1

Dostępność

Stany magazynowe:: 0

Nadal możesz kupić ten produkt i dodać do zaległego zamówienia.

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Dostępna ilość z otwartych zamówień:: 605

125

W toku

480

Oczekiwane: 09.04.2026
Średni czas produkcji:: 26

tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	16,51 zł	16,51 zł
	10,15 zł	101,50 zł
	8,34 zł	834,00 zł
	7,05 zł	3 384,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Infineon
Kategoria produktów:	Tranzystory IGBT
RoHS:
Technologia:	Si
Opakowanie/obudowa:	TO-247-3
Styl mocowania:	Through Hole
Konfiguracja:	Single
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO:	650 V
Napięcie nasycenia kolektor-emiter :	1.35 V
Maksymalne napięcie bramka–emiter :	- 20 V, 20 V
Ciągły prąd kolektora przy 25°C:	80 A
Pd – strata mocy:	273 W
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Seria:	IGBT7 T7
Opakowanie:	Tube
Marka:	Infineon Technologies
Prąd upływowy bramka–emiter:	100 nA
Rodzaj produktu:	IGBT Transistors
Wielkość opakowania producenta:	240
Podkategoria:	IGBTs
Nazwa handlowa:	TRENCHSTOP
Nazwy umowne nr części:	IKW50N65ET7 SP005348292

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

IKW50N65ET7XKSA1 Karta charakterystyki (PDF)

Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Industrial Drives

Infineon Industrial Drives offer a broad portfolio of efficient semiconductors optimized for motor drives. The designer can rely on Infineon intelligent power modules (IPMs) and discretes for smart designs in the low-power range. For medium-power drives, the Infineon EasyPIM™, EasyPACK™, and EconoPIM™ modules are the perfect match. Moving on to the high-power spectrum, EconoDUAL™ and PrimePACK™ are the solutions of choice. These are combined with the innovative .XT interconnection technology. PrimePACK modules can help designers overcome the overrating dilemma by extending the lifetime by raising thermal and power cycling capabilities.

Low Loss Duopack IGBTs

Infineon Technologies Low Loss Duopack IGBTs offer a robust humidity design with Trenchstop™ and Fieldstop™ technology. They feature a very soft, fast-recovery anti-parallel diode, short tail current, and very low V_CEsat.

IGBT7 Discretes

Infineon Technologies IGBT7 Discretes are the 7th generation of TRENCHSTOP™ IGBTs, created with micro-pattern trench technology. The advanced technology delivers unparalleled control and performance, resulting in significant loss reduction, improved efficiency, and increased power density in applications.