SICW025N065H4-BP

Micro Commercial Components (MCC)
833-SICW025N065H4-BP
SICW025N065H4-BP

Produc.:

Opis:
SiC MOSFETs SiC MOSFET,TO-247-4

Cykl życia:
Nowe produkty:
Nowości od tego producenta.
Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.
Więcej informacji
Dowiedz się więcej o Micro Commercial Components (MCC) SICW025N065H4-BP

Na stanie magazynowym: 360

Stany magazynowe:
360 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
52 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
49,58 zł 49,58 zł
34,74 zł 347,40 zł
28,55 zł 2 855,00 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Micro Commercial Components (MCC)
Kategoria produktów: Moduły MOSFET SIC
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
107 A
35 mOhms
- 10 V, + 22 V
3.1 V
275 nC
- 55 C
+ 175 C
375 W
Enhancement
Marka: Micro Commercial Components (MCC)
Konfiguracja: Single
Kraj montażu: Not Available
Kraj wytworzenia: Not Available
Kraj pochodzenia: CN
Czas zanikania: 15 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.: 18.2 S
Opakowanie: Bulk
Produkt: SiC MOSFETS
Rodzaj produktu: SiC MOSFETS
Czas narastania: 50 ns
Wielkość opakowania producenta: 1800
Podkategoria: Transistors
Technologia: SiC
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 29 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 28 ns
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Karta charakterystyki

TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

Tranzystory MOSFET na bazie węglika krzemu (SiC) SICWx

Tranzystory MOSFET na bazie węglika krzemu (SiC) SICWx firmy Micro Commercial Components (MCC) to szybkie przełączające tranzystory MOSFET 650 V SiC. Wykorzystują technologię MOSFET SiC i dobrze nadają się do zastosowań wysokonapięciowych, działając niezawodnie w trudnych warunkach przemysłowych. Tranzystory MOSFET SICWx charakteryzują się niską rezystancją RDS(on) i niskim ładunkiem bramki, co zmniejsza straty przełączania i przyczynia się do wyższej ogólnej wydajności systemu. Konstrukcja zwiększająca wydajność i obudowa TO-247 gwarantują znakomite parametry termiczne, a opcje 3- lub 4-stykowe (pin ze źródłem Kelvina) dodatkowo poprawiają wszechstronność urządzenia. Tranzystory MOSFET SICWx cechują się solidną konstrukcją i odpornością na korozję, co zapewnia lepsze zarządzanie temperaturą i wyższą wydajność. Nadają się idealnie do stosowania w zasilaczach, telekomunikacji, systemach energii odnawialnej i napędach silnikowych.

DC Fast Charging Solutions

MCC DC Fast Charging Solutions support the next generation of EV infrastructures with high-performance components designed for speed, safety, and system efficiency. As global EV adoption accelerates, fast chargers are crucial for meeting driver expectations, cutting charge times dramatically, and making electric mobility more practical and scalable.

Wystąpił nieoczekiwany błąd.


Jakieś pytania? Proszę odwiedzić Centrum Pomocy.
W przypadku pytań dotyczących konkretnego zamówienia, proszę zalogować się na swoje konto.

Jeśli pojawią się dalsze problemy, proszę skontaktować się z nami pod numerem 800-346-6873 lub wysłać wiadomość e-mail na adres help@mouser.com.