TGA2830 & TGA2975 GaN Power Amplifiers

Qorvo TGA2830 & TGA2975 GaN Power Amplifiers operate from 2.7GHz to 3.5GHz and are designed using Qorvo's 00.25µm GaN (Gallium Nitride) on SiC (Silicon Carbide) production process (QGaN25). The TGA2830 and TGA2975 can operate under both pulse and CW conditions and are ideally suited for commercial and defense related radar applications. Both RF ports on these devices have integrated DC blocking capacitors and are matched to 50Ω. 

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Częstotliwość robocza
Wzmocnienie
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Technologia
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Seria
Opakowanie
Qorvo RF Amplifier 2.7-3.5 GHz, 18 W GaN PA
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Min.: 500
Wielokr.: 500
: 500
2.7 GHz to 3.5 GHz 30.5 dB SMD/SMT QFN-24 GaN SiC - 40 C + 85 C TGA2830 Reel
Qorvo TGA2975-SMTR7
Qorvo RF Amplifier 2.7-3.5 GHz, 12 W GaN PA
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Min.: 250
Wielokr.: 250
: 250

TGA2975 Reel