Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

IPD90P04P4L04ATMA2

Name: Infineon IPD90P04P4L04ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPD90P04P4L04AT2
Price: 10.19 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

726-IPD90P04P4L04AT2

Nr prod.:

IPD90P04P4L04ATMA2

Produc.:

Infineon Technologies

Opis:

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

Karta charakterystyki:

IPD90P04P4L04ATMA2 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Infineon Technologies IPD90P04P4L04ATMA2

Na stanie magazynowym: 2 706

Stany magazynowe:: 2 706

Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Dostępna ilość z otwartych zamówień:: 2 500

Oczekiwane: 02.04.2026
Średni czas produkcji:: 9

tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	10,19 zł	10,19 zł
	6,54 zł	65,40 zł
	4,56 zł	456,00 zł
	3,57 zł	1 785,00 zł
	3,45 zł	3 450,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)
	3,44 zł	8 600,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Infineon
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaryzacja tranzystora:	P-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	40 V
Id – Ciągły prąd drenu:	90 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	4.3 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 16 V, 5 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	1.7 V
Qg – ładunek bramki:	135 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	125 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	Infineon Technologies
Kraj montażu:	MY
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	AT
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Wielkość opakowania producenta:	2500
Podkategoria:	Transistors
Nazwy umowne nr części:	IPD90P04P4L-04 SP002325782 IPD90P04P4L04ATMA1 SP000840194
Jednostka masy:	330 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

IPD90P04P4L04ATMA2 Karta charakterystyki (PDF)

Product Catalogs

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

OptiMOS®-P2 Automotive MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS®-P2 Automotive MOSFETs offers a comprehensive portfolio of P-channel automotive power MOSFETs with the technology of OptiMOS-P2 and Gen5. The Automotive MOSFETs are AEC qualified and supports a 175°C operating temperature. The Infineon OptiMOS-P2 Automotive MOSFETs are available in DPAK, D2PAK, TO220, TO262, and SO8 packages.